shallow trench isolation中文
淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化矽掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕矽後形成槽,並 ...,,淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成...
浅槽隔离
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浅槽隔离,即shallowtrenchisolation,简称STI。通常用于0.25um以下工艺,通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽,并在槽中填充淀积氧化物, ...
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